Лазеры полупроводниковые. Эти лазеры были созданы сравнительно недавно, когда газовые и рубиновые лазеры уже успешно работали, хотя «лазерные свойства» полупроводников известны давно. Такое запоздание связано с технологическими трудностями изготовления нужных полупроводниковых материалов.

Основные достоинства полупроводниковых лазеров— миниатюрность и простота «накачки» (возбуждения), осуществляемая пропусканием электрического тока через полупроводник, а также высокий КПД. Считается, что можно достичь КПД почти 100%. В действующих лазерах в самых благоприятных условиях КПД составляет около 50%. Излучение полупроводниковых лазеров хорошо модулируется на высоких частотах изменением величины тока возбуждения. Первый полупроводниковый лазер был разработан на основе арсенида галлия. Небольшое количество примесей, например цинка, в арсениде галлия приводит к образованию. Эти примеси, добавленные в различные части полупроводника, образуют области проводимости, одна из которых является электронной, а другая — дырочной проводимостью (областью). Часть кристалла между областями называют переходом. Электрическое поле, приложенное к полупроводнику, вызывает движение электронов и дырок навстречу друг другу, при этом происходит рекомбинация пары электрон—дырка, сопровождающаяся излучением фотона. Для получения индуцированного излучения необходимо создать переходе очень большую плотность тока, порядка нескольких тысяч ампер на квадратный сантиметр. С повышением плотности тока накачки увеличивается интенсивность выходного сигнала. Для получения генерации необходима обратная связь.